业界音讯称爸爸与女儿，三星电子正在为下一代HBM接头包括无焊剂在内的多种键合本事。

三星电子自本岁首起，已与国外主要配结伴伴驱动了对无焊剂键合本事的初步评估使命。

该本事将应用于 HBM4（第六代），见解是在本年年底前完成评估。

当今三星电子接受 NCF（非导电性粘接薄膜）行动HBM制造的后工序本事。

HBM是一种通过垂直堆叠多个DRAM来擢升数据处置性能的存储器半导体。它通过 TSV（硅通孔）在每个DRAM上钻出渺小的孔，并以电气面貌联络这些孔。为了联络各个DRAM爸爸与女儿，使用了渺小突起方式的微凸点。

三星电子一径直受的是TC键合工艺，即在堆叠的每个DRAM之间插入NCF，并从上方进行热压。NCF在高温下融解，起到联络凸块与凸块、固定芯片间的作用。

无焊剂本当事者要应用于 MR-MUF（Mass Reflow-Molded Underfill）。MR-MUF 不使用薄膜，而是哄骗液态的EMC（环氧树脂与无机二氧化硅羼杂而成的模塑材料）。

MR-MUF在每堆叠一个DRAM 时，会先进行临时热压接合，待全王人堆叠后，另类图片激情再通过加热（回流焊）完成接合历程。

随后，在各芯片之间无流毒地注入EMC。EMC起到复旧各芯片的“底部填充（Underfill）”以及防御外部混浊等作用。

在现存的MR-MUF工艺中，为了去除残留在凸点上的氧化膜，会先涂覆一种称为助焊剂（flux）的物资，然后再清洗掉。

然则，跟着HBM的输入输出端子（I/O）数目在HBM4中比较之前翻倍至2024个，以及DRAM堆叠层数的加多，凸点之间的间距也会随之收缩。

这种情况下，助焊剂可能无法被绝对清洗干净，从而可能挫伤芯片的可靠性。

对此，半导体行业淡薄了无焊剂焊合决议。

尽管开拓厂商在无焊剂本事上的行为别离爸爸与女儿，但中枢在于不使用焊剂而去除焊球周围的氧化层。